Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 4 záznamů.  Hledání trvalo 0.00 vteřin. 
Optimalizace a měření transportních experimentů na grafenových polem řízených tranzistorech
Urbiš, Jakub ; Pilch, Jan (oponent) ; Bartošík, Miroslav (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá automatizací transportních experimentů na grafenu pomocí grafického programovacího jazyka LabVIEW. Konkrétně se jedná o experimenty týkající se grafenových senzorů relativní vlhkosti na bázi: dvoubodové grafenové struktury, dvoubodové struktury SiO$_2$ a čtyřbodové grafenové struktury ve tvaru Hallovy destičky. U všech těchto experimentů je třeba současně provádět kontrolu relativní vlhkosti, nastavovat vstupní elektrické parametry, provádět SPM měření a vyčítat makroskopické transportní vlastnosti. Program DeviceManager vyvinutý v rámci této diplomové práce usnadňuje provedení zmíněných experimentů.
Příprava grafenových vrstev pokrytých Ga atomy a charakterizace jejich elektrických vlastností
Piastek, Jakub ; Kromka, Alexander (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá studiem charakterizace elektrických vlastností grafenových vrstev pokrytých Ga atomy. Substráty s elektrickými kontakty byly připraveny laserovou litografií a grafenová vrstva byla připravena pomocí metody chemické depozice z plynné fáze (CVD). Experimentálně byla zkoumán posuv Diracova bodu v závislosti na době depozice atomů galia na povrch grafenu. Byl také zkoumán vliv depozice atomárního vodíku na povrch grafenu. Výsledky měření a jejich zhodnocení jsou diskutovány v této práci.
Optimalizace a měření transportních experimentů na grafenových polem řízených tranzistorech
Urbiš, Jakub ; Pilch, Jan (oponent) ; Bartošík, Miroslav (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá automatizací transportních experimentů na grafenu pomocí grafického programovacího jazyka LabVIEW. Konkrétně se jedná o experimenty týkající se grafenových senzorů relativní vlhkosti na bázi: dvoubodové grafenové struktury, dvoubodové struktury SiO$_2$ a čtyřbodové grafenové struktury ve tvaru Hallovy destičky. U všech těchto experimentů je třeba současně provádět kontrolu relativní vlhkosti, nastavovat vstupní elektrické parametry, provádět SPM měření a vyčítat makroskopické transportní vlastnosti. Program DeviceManager vyvinutý v rámci této diplomové práce usnadňuje provedení zmíněných experimentů.
Příprava grafenových vrstev pokrytých Ga atomy a charakterizace jejich elektrických vlastností
Piastek, Jakub ; Kromka, Alexander (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá studiem charakterizace elektrických vlastností grafenových vrstev pokrytých Ga atomy. Substráty s elektrickými kontakty byly připraveny laserovou litografií a grafenová vrstva byla připravena pomocí metody chemické depozice z plynné fáze (CVD). Experimentálně byla zkoumán posuv Diracova bodu v závislosti na době depozice atomů galia na povrch grafenu. Byl také zkoumán vliv depozice atomárního vodíku na povrch grafenu. Výsledky měření a jejich zhodnocení jsou diskutovány v této práci.

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.